摩尔定律依然在起作用，2014年底，三星宣布了世界首个14nm FinFET 3D晶体管进入量产，标志着半导体晶体管进入3D时代，半年后TSMC也宣布量产了16nm FinFET工艺制程，而骁龙820和Exynos8890则是采用了三星第二代14nm LPP工艺。
进入2016年，半导体代工之争依然激烈，台积电最为高调，大肆造势其10nm工艺和7nm甚至5nm的路线图。而三星这边却一直以来沉默寡言，不过面对对手的高调宣传，三星也不再坐视不理了。
近日，三星官网的一篇博客文章向我们披露了关于三星在2016年以及未来的代工工艺技术更新计划，大致如下：
在28nm制程方面，三星将继续加入新技术优化，2016年推出RF技术，2017、201年则加入eNVM技术。
14nm工艺，三星将推出成本优化的14nm LPC工艺，该工艺并没有牺牲性能，三星称之为第三代14nm工艺，同时，14nm FinFET技术还将扩大应用到网络/服务器和智能汽车等领域。
10nm工艺方面是激动人心的，三星的第二代10nm工艺，三星称之为10LPP将会推出，它比第一代10nm LPE还要有10%的速度提升。
7nm方面也在积极布局，三星称在7LPP节点具有非常有竞争力的PPA最优化，并有望采用EUV极紫外光刻技术量产（台积电需等到5nm节点采用EUV）
可以看到，一直以来默不作声的三星半导体一直在发力积极投入研发次时代工艺技术，未来智能科技的竞争本质上来讲就是计算能力的竞争，而这不得不催促半导体工艺向着更精密发展，至少摩尔定律还没失效前是这样的。
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